[发明专利]UB2薄膜在黑腔上的应用有效

专利信息
申请号: 201710272260.8 申请日: 2017-04-24
公开(公告)号: CN107068205B 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: 邢丕峰;李宁;柯博;李翠;易泰民;杨蒙生;郑凤成;王丽雄;赵利平 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
主分类号: G21B1/11 分类号: G21B1/11;C23C14/06
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 侯静
地址: 621900*** 国省代码: 四川;51
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摘要: UB2薄膜在黑腔上的应用,它属于激光聚变工程技术领域,具体涉及一种兼具黑腔减散和防护作用的UB2薄膜的应用。本发明目的是为了解决现有铀黑腔结构复杂、Au/B减散层化学稳定性差、组分比例及分布调控困难的问题。UB2薄膜作为减散/防护层替代黑腔Au/B减散层和Au防护层应用于黑腔上。优点:UB2薄膜用于黑腔能实现薄膜成分的精确控制、降低黑腔脱模工艺难度,有效抑制激光等离子体受激布里渊散射;同时该薄膜还具有降低M带热电子产额、提高激光‑X射线转换效率、保护铀黑腔转化层的作用。UB2薄膜集减散、防护功能于一身,有效简化了点火黑腔及其它高性能、高转化率黑腔结构及其制备工艺。
搜索关键词: ub2 薄膜 黑腔上 应用
【主权项】:
1.一种UB2薄膜在黑腔上的应用,其特征在于UB2薄膜作为减散/防护层替代黑腔Au/B减散层和Au防护层应用于黑腔上。
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