[发明专利]一种残压比低的压敏电阻器及其应用有效
| 申请号： | 201710272563.X | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN107082635B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 邱维军 | 申请（专利权）人： | 新昌县恩喜电器有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;H01C7/112;H01C7/115;H01C7/105;H01C7/118 |
| 代理公司： | 合肥顺超知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34120 | 代理人： | 郑志强 |
| 地址： | 312500 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种残压比低的压敏电阻器及其应用，所述残压比低的压敏电阻器，由压敏电阻芯片、硅橡胶封层、绝缘封层、电极和电极引线组成，本发明通过对氧化锌材料进行掺杂，细化了氧化锌的晶粒，增加了压敏电阻的表面密度，从而达到降低压敏电阻残压比的目的，提升了电阻器抗电流力冲击能力和非线性系数，使得压敏电阻器具有较高的电压梯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压敏电阻 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种残压比低的压敏电阻器，其特征在于，由压敏电阻芯片、硅橡胶封层、绝缘封层、电极和电极引线组成，所述压敏电阻芯片，由以下重量份的物质组成：掺杂氧化锌80～95份、三氧化二铋0.2～0.75份、二氧化硅1.8‑2.8份、二氧化钛0.35‑0.45份、硫化镍0.36‑0.45份、碳化硅0.08‑0.15份、氮化锆0.03‑0.08份、三氧化二锑0.3‑0.5份、三氧化二钇0.05‑0.15份、钛酸铜钙0.8‑1.5份。
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