[发明专利]基于牺牲层的电极材料转移方法有效
申请号: | 201710272617.2 | 申请日: | 2017-04-24 |
公开(公告)号: | CN107068607B | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 马晓华;孙静;王宏;宋芳;吴士伟;王湛 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 61205 陕西电子工业专利中心 | 代理人: | 王品华;朱红星<国际申请>=<国际公布> |
地址: | 710071 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于牺牲层的电极材料转移方法,主要解决电极材料转移中容易出现裂纹,成功率低的问题,其实现方案是:1)在清洗后的亲水性源衬底上采用电子束蒸发的方法制备具有疏水性质的牺牲层,再旋涂聚酰亚胺液体并进行热固化;2)用细胶带贴住样片的四周边缘区域在处理后的样片上制备电极,再进行光刻胶的旋涂,并完成烘胶;3)将烘胶后的样片泡在水中,再施以稍许应力,使牺牲层与源衬底迅速实现亲水性分离,随后采用腐蚀剂腐蚀牺牲层;4)用丙酮除去释放后薄膜上的光刻胶,再将薄膜粘附到目的衬底上,转移结束。本发明具有操作简单,成功率高,衬片可重复利用的优点,可用于对延展性较差的电极材料的转移工作。 | ||
搜索关键词: | 基于 牺牲 电极 材料 转移 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于牺牲层的电极材料转移方法,包括如下步骤:/n(1)选用亲水性源衬底并进行清洗,分别使用丙酮,异丙醇各超声3~5分钟,随后用去离子水冲洗,使用氮气枪吹干;/n(2)采用电子束蒸发在源衬底上制备具有疏水性质的牺牲层样片;/n(3)在牺牲层上滴2到3滴聚酰亚胺溶液,使其覆盖面积略大于样片表面积的一半,随后启动旋涂设备,使得聚酰亚胺溶液均匀的分散于衬片的表面,然后加热固化,取下样片;/n(4)用细胶带贴住样片的四周边缘区域并将其固定在托盘上,采用溅射或电子束蒸发在样片上制备电极,工艺完成后将多余的胶带剪掉;/n(5)在样片上滴2到3滴光刻胶聚甲基丙烯酸甲酯PMMA,将样片放在旋涂机上进行旋涂,使得光刻胶分散于样片表面,并在加热台上烘胶;/n(6)将烘胶后的样片泡在水中,施以稍许应力,使牺牲层与源衬底迅速实现亲水性分离,再采用腐蚀剂对牺牲层进行腐蚀,腐蚀完成后,再用去离子水对有胶带支撑的薄膜进行冲洗,并用氮气吹干;/n(7)将冲洗后的薄膜浸入40℃~50℃丙酮中3~5min,然后将其浸泡在异丙醇中1~3min,除去其表面的光刻胶,依次进行去离子水清洗和氮气枪吹干,使电极材料转移到聚酰亚胺薄膜上,且四周附有胶带的支撑不会卷曲;/n(8)对准备好的目的衬底进行清洗;/n(9)将附着有电极的聚酰亚胺薄膜粘附于目的衬底上,完成电极材料的转移。/n
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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