[发明专利]三维半导体器件有效
| 申请号： | 201710272619.1 | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN107452746B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 黄盛珉;许星会 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B41/20 | 分类号： | H10B41/20;H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了三维半导体器件。电极结构包括垂直地层叠在基板上的多个电极。多个电极的每个包括电极部、垫部分和突起。电极部平行于基板的顶表面并在第一方向上延伸。垫部分在相对于基板的顶表面垂直或倾斜的第三方向上从电极部延伸。突起在平行于第三方向的方向上从垫部分的一部分突出。当从平面图看时，多个电极的突起布置在第一方向和第二方向的对角线方向上，该第二方向平行于基板的顶表面并交叉第一方向。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种三维(3D)半导体器件，包括：电极结构，包括垂直地层叠在基板上的多个电极，其中所述多个电极的每个包括：电极部，平行于所述基板的顶表面并在第一方向上延伸；垫部分，在相对于所述基板的所述顶表面垂直或倾斜的第三方向上从所述电极部延伸；和突起，在平行于所述第三方向的方向上从所述垫部分的一部分突出，并且其中，当从平面图看时，所述多个电极的所述突起布置在所述第一方向和第二方向的对角线方向上，该第二方向平行于所述基板的所述顶表面并交叉所述第一方向。
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