[发明专利]一种读操作方法和装置在审
| 申请号： | 201710272635.0 | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108735265A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 苏志强;刘会娟;程莹;李建新 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种读操作方法和装置，应用于包括多个字线的NAND FLASH，方法包括以下步骤：接收读操作信号；向所述读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与所述选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与所述选中字线相邻的非选中字线施加第三电压；所述第一电压小于所述第二电压，所述第二电压小于所述第三电压；读取所述读操作信号对应存储单元中的数据。本发明实施例可以确保与选中字线相邻的非选中字线下的NAND FLASH存储单元串导通，避免了现有技术中误读的情况，有效提高了读操作的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 字线 选中 读操作信号 读操作 方法和装置 施加 读取 存储单元 导通 误读 应用 | ||
【主权项】：
1.一种读操作方法，应用于包括多个字线的NAND FLASH，其特征在于，包括以下步骤：接收读操作信号；向所述读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与所述选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与所述选中字线相邻的非选中字线施加第三电压；所述第一电压小于所述第二电压，所述第二电压小于所述第三电压；读取所述读操作信号对应存储单元中的数据。
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