[发明专利]共享接触孔短路缺陷的测试结构、制备方法和测试方法

摘要

本发明提供了一种共享接触孔短路缺陷的测试结构、制备方法和测试方法，测试结构具有第一导电类型晶体管；第一导电类型晶体管包括：有源区、位于有源区上设置的第一栅极和第二栅极、第二栅极的一端的底部不设置有源区；位于第一栅极上的第一栅源共享接触孔和位于第二栅极的一端上的第二栅源共享接触孔；第一栅源共享接触孔连接第一栅极一端和有源区；第二栅源共享接触孔仅连接第二栅极的一端，第二栅源共享接触孔的底部不连接有源区。利用本发明的测试结构能够很直观地判断出第二栅源共享接触孔是否发生短路，有利于进行后续工艺窗口的平度、工艺和机台的监控。

主权项

1.一种栅源共享接触孔短路缺陷的测试结构，其特征在于，具有第一导电类型晶体管；第一导电类型晶体管包括：有源区、位于有源区上设置的第一栅极和第二栅极、第二栅极的一端的底部不设置有源区；位于第一栅极上的第一栅源共享接触孔和位于第二栅极的所述一端上的第二栅源共享接触孔；第一栅源共享接触孔连接第一栅极一端和有源区；第二栅源共享接触孔仅连接第二栅极的所述一端，第二栅源共享接触孔的底部不连接有源区；其中，/n当第一栅源共享接触孔呈导通状态时，第二栅源共享接触孔的正常状态为不导通，第二栅源共享接触孔的异常状态为导通；其中，第二栅源共享接触孔底部设置有隔离结构，第二栅源共享接触孔与隔离结构相接触且同时与第二栅极的所述一端相接触，此时，所述第二栅源共享接触孔处于正常状态；当第二栅源共享接触孔与邻近栅极短接时，所述第二栅源共享接触孔处于异常状态。/n