[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 201710276690.7 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108735796A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 詹景琳 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件，其包括基底、第一掺杂区、第二掺杂区、隔离结构与栅极结构。基底包括第一区及与第一区相连的第二区。第一掺杂区具有第一导电型，位于基底中且包括第一螺旋状区域及块状区域。第二掺杂区具有第一导电型，位于基底中且包括第二螺旋状区域及外围区域。隔离结构设置于第一掺杂区与第二掺杂区之间。栅极结构设置于第一掺杂区与第二掺杂区之间且覆盖部分的基底及部分的隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区 基底 隔离结构 半导体元件 螺旋状区域 栅极结构 导电型 第一区 块状区域 外围区域 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：基底，包括第一区以及与所述第一区相连的第二区；第一掺杂区(D)，具有第一导电型，位于所述基底中，包括：第一螺旋状区域，在所述第一区中；块状区域，在所述第二区中，与所述第一螺旋状区域连接；第二掺杂区(S)，具有所述第一导电型，位于所述基底中，包括：第二螺旋状区域，在所述第一区中，夹于所述第一螺旋状区域之中；外围区域，在所述第一区以及所述第二区的边缘，环绕所述第一螺旋状区域与所述块状区域，且与所述第二螺旋状区域连接；隔离结构，设置于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间；以及栅极结构，设置于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间且覆盖部分的所述基底及部分的所述隔离结构。
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