[发明专利]简易倒装高压LED芯片的制备方法

摘要

本发明涉及LED芯片工艺领域，公开了一种简易倒装高压LED芯片的制备方法，包括在外延层上进行刻蚀形成隔离沟槽和N电极沟槽以形成Mesa平台，深刻蚀隔离沟槽形成隔离道，制作覆盖部分N电极沟槽底部、部分Mesa平台以及相邻两个芯片单元区域之间部分隔离道的电流阻挡层，形成覆盖部分Mesa平台及全部第二电流阻挡层的欧姆接触层，制作覆盖电流阻挡层的电流扩展引线，制作隔离反射层并在其上形成P导电通道和N导电通道，制作焊接用的P焊垫和N焊垫，制作chip。本发明可以同时避开P电极上导电层吸收光和电极焊垫遮光，降低驱动电压及提高光强；减少电压转换时的能量损失，缓解电流积聚，便于光学设计。

主权项

一种简易倒装高压LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供具有n个芯片单元区域A1、A2······An的透光衬底(1001)，一个所述倒装高压LED芯片A由m个所述芯片单元区域A1、A2······Am首尾串联而成，其中，n≥2，2≤m≤n；S2：在所述透光衬底(1001)上生长外延层；S3：在各所述芯片单元区域上同时刻蚀出隔离沟槽(1002)和N电极沟槽(1003)以形成Mesa平台(1004)；S4：刻蚀所述隔离沟槽(1002)至其底部暴露所述透光衬底(1001)的上表面以形成隔离道(1005)；S5：制作由第一电流阻挡层(1006)、第二电流阻挡层(1007)和第三电流阻挡层(1008)组成的电流阻挡层，所述第一电流阻挡层(1006)的覆盖各所述A中各所述A1的部分N电极沟槽(1003)底部；所述第二电流阻挡层(1007)正对所述第一电流阻挡层(1006)设置且覆盖部分各所述Mesa平台(1004)；所述第三电流阻挡层(1008)覆盖相邻两个所述芯片单元区域之间的部分所述隔离道(1005)；S6：形成欧姆接触层(1009)，所述欧姆接触层(1009)位于各所述Mesa平台(1004)正上方并覆盖各所述第二电流阻挡层(1007)；S7：制作由第一电流扩展引线(1010)、第二电流扩展引线(1011)和第三电流扩展引线(1012)组成的电流扩展引线，所述第一电流扩展引线(1010)位于各所述A中各芯片单元区域的N电极沟槽(1003)正上方并覆盖所述第一电流阻挡层(1006)；所述第二电流扩展引线(1011)正对所述第一电流扩展引线(1010)设置并覆盖位于所述第二电流阻挡层(1007)正上方的欧姆接触层(1009)；所述第三电流扩展引线(1012)位于所述第三电流阻挡层(1008)正上方并覆盖部分所述第三电流阻挡层(1008)；S8：制作覆盖各所述N电极沟槽(1003)、所述Mesa平台(1004)、所述欧姆接触层(1009)、所述第三电流阻挡层(1008)、所述电流扩展引线以及所述隔离道(1005)的隔离反射层(1013)；S9：图形化所述隔离反射层(1013)以形成所述A的P导电通道(1014)和N导电通道(1015)；S10：制作分别覆盖各所述P导电通道(1014)和各所述N导电通道(1015)的P焊垫(1016)和N焊垫(1017)；S11：将各所述A制作成chip。