[发明专利]一种GaN基LED包覆式电极结构的制作方法

摘要

本发明涉及一种GaN基LED包覆式电极结构的制作方法，属于半导体加工技术领域，包括以下具体步骤：1、第一次光刻电极图形制作；2、第一次电极蒸镀Cr、Al、Ti、Au；3、第二次光刻电极图形制作；4、氧气等离子体清洗；5、第二次电极蒸镀。本发明通过两次光刻电极图形和两次电极蒸镀，实现了包覆式电极结构的制作，通过电极双面反射，整个管芯的发光亮度极高；通过氧气等离子体的清洗，保证了电极整体稳定性。整个制作过程原理简单，通过本发明方法制作出的管芯，发光亮度较高，管芯焊线良率较高，电极整体稳定性好，本方法适用于所有GaN基LED管芯的制作，适用性广。

主权项

1.一种GaN基LED包覆式电极结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、第一次光刻电极图形制作，在GaN基LED晶片上，使用负向光刻胶，制作出光刻电极图形；步骤2、第一次蒸镀电极，包括：步骤2‑1，将步骤1中完成的晶片，放置到电子束蒸发台腔室内，进行第一Cr层的蒸镀；步骤2‑2，进行第一Al层反射镜的蒸镀；步骤2‑3，进行Ti层蒸镀；步骤2‑4，进行Au层蒸镀；步骤2‑5，将步骤2‑4中的晶片，使用蓝膜将多余金属剥离掉，得到初步电极图形，并使用去胶液去掉光刻胶，使用稀盐酸浸泡，微腐蚀处理电极侧面，得到侧面堆叠整齐的电极图形；步骤3、第二次光刻电极图形制作；使用负向光刻胶，在步骤1的电极图形的基础上将电极图形整体大小向外扩展，制作出与步骤2中相匹配的电极图形；步骤4、氧气等离子体清洗，将步骤3中的晶片，放置到氧气等离子体清洗机内进行清洗作业；步骤5、第二次蒸镀电极，包括：步骤5‑1，将步骤4中的晶片，放置到电子束蒸发台腔室内，进行第二Cr层的蒸镀；步骤5‑2，进行第二Al层反射镜的蒸镀；步骤5‑3，使用蓝膜剥离出最终电极图形，并去掉光刻胶，得到完整的电极图形。