[发明专利]多次可程式闪存单元阵列及其操作方法、存储器件有效
| 申请号： | 201710279686.6 | 申请日： | 2017-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108806751B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 叶晓;金凤吉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/22 | 分类号： | G11C16/22;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/24 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张海强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种多次可程式闪存单元阵列及其操作方法、存储设备，涉及闪存技术领域。该阵列包括m×n个多次可程式闪存单元；m≥1，n≥1，且m和n为整数；多次可程式闪存单元包括衬底以及位于衬底上的第一和第二选择晶体管、第一和第二浮栅晶体管；第一浮栅晶体管的源极连接至第一选择晶体管的漏极，第一浮栅晶体管的漏极连接至第二浮栅晶体管的漏极，第二浮栅晶体管的源极连接至第二选择晶体管的漏极，第j列多次可程式闪存单元中第一和第二浮栅晶体管的控制栅连接至第j条字线，其中1≤j≤m；其中，第一和第二选择晶体管的源极均连接至共源极线；第i行多次可程式闪存单元中第一浮栅晶体管的漏极连接至第i条位线，1≤i≤n。 | ||
| 搜索关键词： | 多次 程式 闪存 单元 阵列 及其 操作方法 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种多次可程式闪存单元阵列，其特征在于，包括：m×n个多次可程式闪存单元；其中，m≥1，n≥1，且m和n为整数；所述多次可程式闪存单元包括：衬底以及位于所述衬底上的第一选择晶体管、第二选择晶体管、第一浮栅晶体管和第二浮栅晶体管；其中，所述第一浮栅晶体管的源极连接至所述第一选择晶体管的漏极，所述第一浮栅晶体管的漏极连接至所述第二浮栅晶体管的漏极，所述第二浮栅晶体管的源极连接至所述第二选择晶体管的漏极，第j列多次可程式闪存单元中第一浮栅晶体管的控制栅和第二浮栅晶体管的控制栅连接至第j条字线，其中1≤j≤m；其中，所述第一选择晶体管的源极和所述第二选择晶体管的源极均连接至共源极线；第i行多次可程式闪存单元中第一浮栅晶体管的漏极连接至第i条位线，1≤i≤n。
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