[发明专利]降低半导体器件的透明导电氧化物层中钠浓度的方法在审
| 申请号： | 201710280566.8 | 申请日： | 2017-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN107316916A | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 德米特里·波普拉夫斯基 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司11252 | 代理人： | 周放,张春雨 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开一种制造半导体器件的方法，所述方法包括形成具有原子浓度大于1×1019/cm3的钠的半导体材料叠层；在半导体材料叠层上沉积透明导电氧化物层，以便钠原子从半导体材料叠层扩散到透明导电氧化物层中；以及使透明导电氧化物层的物理暴露表面与流体接触来去除透明导电氧化物层中的钠。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 半导体器件 透明 导电 氧化物 层中钠 浓度 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成包括p‑n结的半导体材料叠层，其中所述材料叠层包括原子浓度大于1×1019/cm3的钠；在所述半导体材料叠层上沉积透明导电氧化物层，其中钠原子从所述半导体材料叠层扩散到所述透明导电氧化物层中；以及使所述透明导电氧化物层的所述物理暴露表面与流体接触来去除所述透明导电氧化物层和所述半导体材料叠层中的钠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
