[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了半导体器件及其制造方法。在形成该半导体器件的方法中，蚀刻停止图案和分开的间隔物能够形成在位线接触的侧壁上，其中蚀刻停止图案和分开的间隔物的每个包括相对于氧化物具有蚀刻选择性的材料。能够形成存储节点接触插塞孔，使得蚀刻停止图案和分开的间隔物形成存储节点接触插塞孔的与位线接触间隔开的一部分侧壁。清洁存储节点接触插塞孔以去除形成在存储节点接触插塞孔中的自然氧化物。本发明还公开了与该方法有关的器件。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在基板中形成间隔开的第一掺杂区和第二掺杂区；在所述基板上形成绝缘层以限定暴露所述第二掺杂区的开口；去除所述基板的通过所述开口暴露的一部分以形成位线节点接触孔，所述位线节点接触孔被形成为具有低于所述基板的顶表面的底表面；形成位线和位线节点接触插塞，所述位线和所述位线节点接触插塞分别提供在所述绝缘层上和所述位线节点接触孔中；在所述位线节点接触孔中形成间隔物；以及形成电连接到所述第一掺杂区的存储节点接触插塞，其中所述位线和所述位线节点接触插塞通过所述间隔物与所述存储节点接触插塞间隔开，并且其中所述间隔物的至少一部分由关于自然氧化物层具有蚀刻选择性的材料形成。