[发明专利]一种互补型薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板

摘要

本发明公开了一种互补型薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板，属于半导体领域。该制作方法包括在有源层图形上形成第一半导体层，对第一半导体层进行图形化处理以形成第一欧姆接触层；在有源层图形上形成第二半导体层，对第二半导体层进行图形化处理以形成第二欧姆接触层，通过在制作互补型薄膜晶体管的过程中，在有源层图形上形成第一半导体层，对第一半导体层进行图形化处理，形成第一欧姆接触层，在有源层图形上形成第二半导体层，对第二半导体层进行图形化处理，形成第二欧姆接触层，由于第一半导体层和第二半导体层中的一个为n型半导体层，另一个为p型半导体层,因此不需要进行掺杂，可以降低CMOS型TFT的制作成本。

主权项

1.一种互补型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：/n在有源层图形上形成第一半导体层，并对所述第一半导体层进行图形化处理以在第一有源层上形成第一欧姆接触层，所述有源层图形包括同层设置且相互间隔的所述第一有源层和第二有源层；/n在所述有源层图形上形成第二半导体层，并对所述第二半导体层进行图形化处理以在所述第二有源层上形成第二欧姆接触层；/n其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一个为n型半导体层，另一个为p型半导体层，/n当所述第一半导体层为n型半导体层时，采用SiH