[发明专利]多指静电放电（ESD）保护装置的增强布局在审
| 申请号： | 201710281744.9 | 申请日： | 2017-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN107452731A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 阿布·T·卡比尔 | 申请（专利权）人： | 英特矽尔美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国,吴启超 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种多指ESD保护装置的增强布局具有若干实施例。在这些实施例中，用作基于多指NPN(基于多指PNP)的多指ESD保护装置中的电压钳位器的NPN(或PNP)晶体管的基极触点设置在多指ESD保护装置的相对边缘处并且垂直于多指ESD保护装置中的指状物的取向定向。类似地，在基于多指NMOS(或基于多指PMOS)的多指ESD保护装置中用作电压钳位器的NMOS(或PMOS)晶体管的主体触点设置在多指ESD保护装置的相对边缘处并且垂直于多指ESD保护装置中的指状物的取向定向。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 esd 保护装置 增强 布局 | ||
【主权项】：
一种多指静电放电(ESD)保护装置，包括：沿第一方向定向的多个相邻的ESD钳位装置，其中所述多个相邻的ESD钳位装置中的每个ESD钳位装置包括输入/输出(I/O)焊盘和被配置为耦合到参考电位的触点；和与所述多个相邻ESD的钳位装置相关联的多个触点，其中所述多个触点沿垂直于所述第一方向的第二方向定向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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