[发明专利]功率半导体构件和用于制造功率半导体构件的方法在审
| 申请号： | 201710281759.5 | 申请日： | 2017-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN107346781A | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | A·格拉赫;W·法伊勒 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 侯鸣慧 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率半导体构件(20、30)，其具有带有第一掺杂的半导体衬底(21、31)、在所述半导体衬底(21、31)上并且具有第二掺杂的外延层(22、32)和第一区域(23a、33a)，该第一区域至少部分由所述外延层(22、32)包围并且具有第三掺杂，其特征在于，设置第二区域(23d、33d)，该第二区域与所述第一区域(23a、33a)同心地布置并且相对于所述第一区域(23a、33a)具有水平距离，其中，所述第二区域(23d、33d)延伸直到所述功率半导体构件(20、30)的棱边并且具有第四掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 构件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
功率半导体构件(20、30)，所述功率半导体构件具有：·半导体衬底(21、31)，该半导体衬底具有第一掺杂，·外延层(22、32)，该外延层布置在所述半导体衬底(21、31)上并且具有第二掺杂，和·第一区域(23a、33a)，该第一区域至少部分由所述外延层(22、32)包围并且具有第三掺杂，其特征在于，设置第二区域(23d、33d)，该第二区域与所述第一区域(23a、33a)同心地布置并且相对于所述第一区域(23a、33a)具有水平距离，其中，所述第二区域(23d、33d)延伸直到所述功率半导体构件(20、30)的棱边并且具有第四掺杂。
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