[发明专利]用于RRAM技术的金属接合方法有效
| 申请号： | 201710282433.4 | 申请日： | 2017-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN107393902B | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 陈侠威;张至扬;杨晋杰;杨仁盛;涂国基;朱文定;廖钰文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及具有接触RRAM(电阻式随机存取存储器)器件的上电极的互连线的集成电路，以及形成方法。在一些实施例中，集成电路包括具有设置于下电极和上电极之间的介电数据存储层的RRAM器件。互连线接触上电极的上表面，并且互连通孔布置在互连线上。互连通孔从互连线的一个或多个最外侧壁回缩。互连线具有相对大的尺寸，其提供互连线和上电极之间的良好电连接，从而增加RRAM器件的工艺窗口。本发明实施例涉及用于RRAM技术的金属接合方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 rram 技术 金属 接合 方法 | ||
【主权项】：
一种集成芯片，包括：电阻式随机存取存储(RRAM)器件，布置在衬底上方并包括设置在下电极和上电极之间的介电数据存储层；上互连线，接触所述上电极的上表面；以及互连通孔，布置在所述上互连线上，其中，所述互连通孔从所述上互连线的一个或多个最外侧壁回缩。
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