[发明专利]包括反熔丝结构的集成电路及其制造方法有效
| 申请号： | 201710282882.9 | 申请日： | 2017-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108063131B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | P·弗纳拉;C·里韦罗 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L23/535;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了包括反熔丝结构的集成电路及其制造方法。该集成电路在衬底的顶部上包括互连部分，该互连部分包括由绝缘区域(RIS)分隔开的多个金属化层级。该集成电路在该互连部分内另外包括至少一个反熔丝结构(STR)，该反熔丝结构涂覆在该绝缘区域(RIS)的一部分中，该反熔丝结构包括：横梁(PTR)，该横梁由两个臂(BR1A，BR1B)固持在两个不同点处；本体(BTA)；以及反熔丝绝缘区域(ZSF)，该横梁(PTR)、该本体(BTA)以及这些臂(BR1A，BR1B)是金属并且位于同一金属化层级内，该本体和该横梁通过该反熔丝绝缘区域(ZSF)相互接触，该反熔丝绝缘区域被配置成用于在该本体与该横梁之间存在击穿电位差的情况下经受击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 反熔丝 结构 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，所述集成电路在衬底(SB)的顶部上包括互连部分(PITX)，所述互连部分包括由绝缘区域(RIS)分隔开的多个金属化层级，所述集成电路在所述互连部分(PITX)内另外包括至少一个反熔丝结构(STR)，所述反熔丝结构涂覆有所述绝缘区域(RIS)的一部分，所述反熔丝结构包括：横梁(PTR)，所述横梁由两个臂(BR1A，BR1B)固持在两个不同点处；本体(BTA)；以及反熔丝绝缘区域(ZSF)，所述横梁(PTR)、所述本体(BTA)以及所述臂(BR1A，BR1B)是金属并且位于同一金属化层级(Mi)内，所述本体和所述横梁经由所述反熔丝绝缘区域(ZSF)相互接触，所述反熔丝绝缘区域被配置成用于在所述本体与所述横梁之间存在击穿电位差的情况下经受击穿。
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