[发明专利]功能化阴极、QLED及制备方法、发光模组与显示装置有效
| 申请号： | 201710283201.0 | 申请日： | 2017-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108807720B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 梁柱荣;曹蔚然 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司： | 44268 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开功能化阴极、QLED及制备方法、发光模组与显示装置，方法包括步骤：首先在电子传输层上沉积一层巯基硅烷；然后在巯基硅烷层上蒸镀一层阴极，得到功能化阴极。本发明在电子传输层与金属电极之间修饰一层巯基硅烷，巯基硅烷中的硅氧键能与电子传输层连接，并钝化电子传输层的表面缺陷，而暴露在另一端的巯基能与金属电极以共价键紧密连接，一方面能够在金属电极沉积过程中作为金属的紧密的成核中心，逐渐生长出均匀规整的金属电极，另一方面能够促进电子传输层与金属电极之间的紧密连接，保持界面稳定性和界面性质，防止金属电极在电子层中的渗透、腐蚀、氧化或脱落，有效地提高电子注入效率以及QLED器件的寿命和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属电极 电子传输层 阴极 巯基硅烷 功能化 发光模组 紧密连接 显示装置 沉积 制备 电子注入效率 界面稳定性 表面缺陷 成核中心 界面性质 规整 电子层 共价键 硅氧键 有效地 钝化 蒸镀 巯基 修饰 腐蚀 金属 暴露 生长 | ||
【主权项】：
1.一种包含有电子传输层的功能化阴极的制备方法，其特征在于，包括步骤：首先在金属氧化物电子传输层上沉积一层具有硅氧键的巯基硅烷；/n然后在巯基硅烷层上蒸镀一层金属阴极，得到功能化阴极。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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