[发明专利]半导体器件结构及其制作方法、阵列基板和显示装置

摘要

本申请公开了一种半导体器件结构及其制作方法、阵列基板和显示装置。半导体器件结构包括设置在衬底基板上的至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管；第一晶体管包括第一栅极以及由多晶硅形成的第一源极、第一漏极和第一沟道区；第二晶体管包括第二栅极以及由氧化物半导体形成的第一区域、第二区域和第二沟道区，第一区域与第一源极和/或第一漏极电连接，第一区域到衬底基板的距离大于第二区域到衬底基板的距离。按照本申请的方案，通过将第二晶体管的有源层设置为在垂直衬底基板的方向上具有高度差，并利用该高度差形成沟道区，提高开态电流，并通过第一晶体管分压增强可靠性，从而实现高开态电流和低关态电流的半导体器件结构。

主权项

1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括设置在衬底基板上的至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管；所述第一晶体管包括第一栅极和第一有源层，所述第一有源层包括第一源极、第一漏极以及在所述第一源极和所述第一漏极之间的第一沟道区；所述第二晶体管包括第二栅极和第二有源层，所述第二有源层包括第一区域、第二区域以及在所述第一区域和所述第二区域之间的第二沟道区，所述第一区域与所述第一源极或所述第一漏极彼此接触地电连接，所述第一区域到所述衬底基板的距离大于所述第二区域到所述衬底基板的距离；所述第一有源层为多晶硅层，所述第二有源层为氧化物半导体层；所述半导体器件结构还包括缓冲层，所述第一有源层和第二有源层设置在衬底基板上的缓冲层表面，所述缓冲层具有凹陷部，所述第一有源层与凹陷部的侧壁邻接，所述第二有源层设置在所述凹陷部的表面上并且所述第二有源层覆盖凹陷部与第一有源层邻接的侧壁表面。