[发明专利]采用三阱型结构的具有去耦电容器的集成电路有效

专利信息
申请号: 201710283465.6 申请日: 2017-04-26
公开(公告)号: CN107919360B 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: A·马扎基 申请(专利权)人: 意法半导体(鲁塞)公司
主分类号: H01L27/11524 分类号: H01L27/11524;H01L27/11529
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 公开了采用三阱型结构的具有去耦电容器的集成电路。P导电类型的阱(1)通过具有沟槽(4)的三阱型结构与衬底(SB)绝缘,该沟槽(4)具有封闭在绝缘护套(440)中的导电中央部分(430),此沟槽(4)形成具有阱(1)的去耦电容器。
搜索关键词: 采用 三阱型 结构 具有 电容器 集成电路
【主权项】:
一种集成电路,所述集成电路包括第一导电类型的半导体衬底(SB)以及所述第一导电类型的至少一个半导体阱(1),所述至少一个半导体阱通过绝缘区域与所述衬底绝缘,所述绝缘区域具有:‑第一绝缘沟槽(2),所述第一绝缘沟槽从所述衬底的第一面(FS)延伸到所述衬底(SB)中并且围绕所述至少一个阱(1),‑第二导电类型的半导体层(3),所述第二导电类型与所述第一导电类型相反,所述半导体层掩埋在所述阱下方的所述衬底中,以及‑中间绝缘区,所述中间绝缘区被配置以便确保所述第一绝缘沟槽与所述掩埋半导体层之间的电绝缘连续性,所述中间绝缘区包括第二沟槽(4),所述第二沟槽具有围绕所述至少一个阱(1)的至少一个外围部分(40),所述外围部分(40)具有从所述衬底的所述第一面(FS)延伸同时与所述第一绝缘沟槽(2)接触的第一部分(410),所述第一部分通过位于所述第一绝缘沟槽(2)与所述掩埋半导体层(3)之间的第二部分(420)延伸,所述至少一个第二沟槽(4)具有中央部分(430),所述中央部分被配置以便导电并且被封闭在绝缘护套(440)中,所述集成电路包括:至少一个第一触点(CT2),所述至少一个第一触点被配置以便在所述中央部分(430)上是导电的;以及至少一个第二触点(CT2),所述至少一个第二触点被配置以便在所述至少一个阱(1)上是导电的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(鲁塞)公司,未经意法半导体(鲁塞)公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710283465.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top