[发明专利]采用三阱型结构的具有去耦电容器的集成电路有效
申请号: | 201710283465.6 | 申请日: | 2017-04-26 |
公开(公告)号: | CN107919360B | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | A·马扎基 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(鲁塞)公司 |
主分类号: | H01L27/11524 | 分类号: | H01L27/11524;H01L27/11529 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了采用三阱型结构的具有去耦电容器的集成电路。P导电类型的阱(1)通过具有沟槽(4)的三阱型结构与衬底(SB)绝缘,该沟槽(4)具有封闭在绝缘护套(440)中的导电中央部分(430),此沟槽(4)形成具有阱(1)的去耦电容器。 | ||
搜索关键词: | 采用 三阱型 结构 具有 电容器 集成电路 | ||
【主权项】:
一种集成电路,所述集成电路包括第一导电类型的半导体衬底(SB)以及所述第一导电类型的至少一个半导体阱(1),所述至少一个半导体阱通过绝缘区域与所述衬底绝缘,所述绝缘区域具有:‑第一绝缘沟槽(2),所述第一绝缘沟槽从所述衬底的第一面(FS)延伸到所述衬底(SB)中并且围绕所述至少一个阱(1),‑第二导电类型的半导体层(3),所述第二导电类型与所述第一导电类型相反,所述半导体层掩埋在所述阱下方的所述衬底中,以及‑中间绝缘区,所述中间绝缘区被配置以便确保所述第一绝缘沟槽与所述掩埋半导体层之间的电绝缘连续性,所述中间绝缘区包括第二沟槽(4),所述第二沟槽具有围绕所述至少一个阱(1)的至少一个外围部分(40),所述外围部分(40)具有从所述衬底的所述第一面(FS)延伸同时与所述第一绝缘沟槽(2)接触的第一部分(410),所述第一部分通过位于所述第一绝缘沟槽(2)与所述掩埋半导体层(3)之间的第二部分(420)延伸,所述至少一个第二沟槽(4)具有中央部分(430),所述中央部分被配置以便导电并且被封闭在绝缘护套(440)中,所述集成电路包括:至少一个第一触点(CT2),所述至少一个第一触点被配置以便在所述中央部分(430)上是导电的;以及至少一个第二触点(CT2),所述至少一个第二触点被配置以便在所述至少一个阱(1)上是导电的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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