[发明专利]一种转移制备二维原子晶体叠层结构的方法

摘要

本发明公开了一种转移制备二维原子晶体叠层结构的方法，是涉及基于衬底二维原子晶体薄膜的剥离和定位转移方法，具体包括：基于衬底制备的二维原子晶体薄膜表面旋涂聚苯乙烯薄膜，利用水的张力将二维原子晶体与衬底分离并转移至二甲基硅氧烷聚合物上，将二维原子晶体/聚苯乙烯/二甲基硅氧烷复合体以范德华力贴合在目标材料上，通过加热方式分离二甲基硅氧烷聚合物，使用甲苯溶剂或真空退火方法去除聚苯乙烯，即制得二维原子晶体叠层结构。该方法操作简单，快速，成功率高，可广泛应用于大面积超薄材料光电传感器的领域。

主权项

一种转移制备二维原子晶体叠层结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1. 在衬底支撑的二维原子晶体表面旋涂一层强疏水的高分子薄膜，利用水的张力分离二维原子晶体薄膜；S2. 将二维原子晶体高分子薄膜转移至二甲基硅氧烷聚合物上；S3. 将二维原子晶体复合体以范德华力贴合在目标材料上，通过加热方法分离聚合物；S4. 使用浸泡溶剂分解高分子薄膜或者真空退火去除高分子薄膜。