[发明专利]氧化锡电极推进量的获取方法和装置

摘要

本公开提出了一种氧化锡电极推进量的获取方法和装置，涉及玻璃制造领域，应用于玻璃窑炉，其特征在于，玻璃窑炉包括氧化锡电极和池壁砖，该方法包括：根据原材料中氧化锡的引入量、玻璃窑炉氧化锡的流出量、氧化锡的挥发量获取氧化锡电极的侵蚀量。根据氧化锆的流出量，获取池壁砖的侵蚀量。根据氧化锡电极的侵蚀量和池壁砖的侵蚀量，获取氧化锡电极相对于池壁砖的推进量。本公开能够使氧化锡电极与池壁砖保持平齐，提高玻璃窑炉的工作效率。

主权项

1.一种氧化锡电极推进量的获取方法，应用于玻璃窑炉，其特征在于，所述玻璃窑炉包括氧化锡电极和池壁砖，所述方法包括：根据原材料中氧化锡的引入量、所述玻璃窑炉氧化锡的流出量、氧化锡的挥发量获取所述氧化锡电极的侵蚀量；根据氧化锆的流出量，获取所述池壁砖的侵蚀量；根据所述氧化锡电极的侵蚀量和所述池壁砖的侵蚀量，获取所述氧化锡电极相对于所述池壁砖的推进量；所述氧化锡电极为N组氧化锡电极，所述玻璃窑炉按照所述N组氧化锡电极划分为N个区，其中N为正整数；所述根据原材料中氧化锡的引入量、所述玻璃窑炉氧化锡的流出量、氧化锡的挥发量获取所述氧化锡电极的侵蚀量，包括：根据所述氧化锡的引入量、所述氧化锡的流出量和所述氧化锡的挥发量，获取氧化锡电极组的总侵蚀量；根据所述氧化锡电极组的总侵蚀量以及所述N个区中每个区的电极侵蚀比例系数，利用预设的区域电极侵蚀量算法，获取所述每个区的氧化锡电极侵蚀量；所述预设的区域电极侵蚀量算法包括：其中，Sn_er表示所述氧化锡电极组的总侵蚀量，Sn_i表示第i个区的氧化锡电极侵蚀量，D表示氧化锡电极总的横截面积，k_i表示所述第i个区电极侵蚀比例系数，1≤i≤N；所述根据氧化锆的流出量，获取所述池壁砖的侵蚀量，包括：根据所述氧化锆的流出量，获取所述池壁砖的总侵蚀量；根据所述池壁砖的总侵蚀量，以及所述N个区中每个区的池壁砖侵蚀比例系数，利用预设的区域池壁砖侵蚀量算法，获取所述每个区的池壁砖侵蚀量；其中，所述预设的区域池壁砖侵蚀量算法包括：其中，Zr_er表示所述池壁砖的总侵蚀量，Zr_i表示第i个区的池壁砖侵蚀量，F表示池壁砖总的表面积，j_i表示所述第i个区的池壁砖侵蚀比例系数，1≤i≤N；所述根据所述氧化锡电极的侵蚀量和所述池壁砖的侵蚀量，获取所述氧化锡电极相对于所述池壁砖的推进量，包括：根据所述每个区的电极侵蚀量和所述每个区的池壁砖侵蚀量，利用预设的推进量算法获取所述每个区的氧化锡电极相对于该区域的池壁砖的推进量；其中，所述预设的推进量算法包括：S_i＝Sn_i‑Zr_i其中，S_i表示第i个区的氧化锡电极相对于所述第i个区的池壁砖的推进量，Sn_i表示所述第i个区的氧化锡电极侵蚀量，Zr_i表示所述第i个区的池壁砖侵蚀量，1≤i≤N。