[发明专利]LED倒装芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201710284443.1 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN107170857A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 李智勇;张向飞;刘坚 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙)11548 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 223001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及LED芯片工艺领域，公开了一种LED倒装芯片的制备方法，包括提供透光衬底；在透光衬底上生长外延层；同时刻蚀出隔离沟槽以及至少一个N电极沟槽以形成Mesa平台；在Mesa平台之上形成欧姆接触层；在欧姆接触层之上形成至少一个P‑finger，在各N电极沟槽之上分别制作一个N‑finger；在整个芯片表面形成高反绝缘层；图形化高反绝缘层以在至少一个P‑finger之上形成P导电通道，在至少一个N‑finger之上形成N导电通道；制作覆盖全部P导电通道和全部N导电通道的P焊垫和N焊垫；制作chip。本发明可以同时避开P电极上导电层吸收光和电极焊垫遮光，提高光强；缓解电流积聚，便于光学设计。 | ||
| 搜索关键词： | led 倒装 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供具有n个芯片单元区域A1、A2······An的透光衬底(1001)，一个所述芯片单元区域为一个所述LED倒装芯片，其中，n≥1；S2：在所述透光衬底(1001)上生长外延层；S3：在各所述芯片单元区域上同时刻蚀出隔离沟槽(1002)以及至少一个N电极沟槽(1003)以形成Mesa平台(1004)；S4：在所述Mesa平台(1004)之上形成欧姆接触层(1005)；S5：在所述欧姆接触层(1005)之上形成至少一个P‑finger(1006)，在各所述N电极沟槽(1003)之上分别制作一个N‑finger(1007)；S6：在S5之后的整个芯片表面形成高反绝缘层(1008)；S7：图形化所述高反绝缘层(1008)以在至少一个所述P‑finger(1006)之上形成P导电通道(1009)，在至少一个所述N‑finger(1007)之上形成N导电通道(1010)；S8：制作覆盖全部所述P导电通道(1009)和全部所述N导电通道(1010)的P焊垫(1011)和N焊垫(1012)；S9：将各所述LED倒装芯片制作成chip。
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