[发明专利]一种新型8TSRAM单元电路系统在审
| 申请号： | 201710285212.2 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107103928A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 张建杰 | 申请（专利权）人： | 苏州无离信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/418 | 分类号： | G11C11/418;G11C11/419 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 闵东 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市吴中经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于电路技术领域，公开了一种新型8T SRAM单元电路系统，采用读数据的字线、写数据的字线各自分开，以及读数据的位线、写数据的位线各自分开的电路架构，并且在第二个反相器的输出端与第一个反相器的输入端之间插入一个自锁数据使能管来控制写入数据动作。本发明解决了在电源电压较低的条件下实现正确的数据写入，减少读取数据时对所存储数据的干扰，提升存储单元的静态噪声容限。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 tsram 单元 电路 系统 | ||
【主权项】：
一种新型8T SRAM单元电路系统，其特征在于，所述新型8T SRAM单元电路系统采用读数据的字线、写数据的字线各自分开，以及读数据的位线、写数据的位线各自分开的电路架构，并且在第二个反相器的输出端与第一个反相器的输入端之间插入一个自锁数据使能管来控制写入数据动作。
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