[发明专利]微型发光二极管的转移方法及微型发光二极管转移装置有效
| 申请号： | 201710286407.9 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108807213B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 向瑞杰;陈志强 | 申请（专利权）人： | 宏碁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/78;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新北市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种微小元件的转移方法。提供设置有多个第一电极以及多个微小元件的载体基板。微小元件彼此分离且分别与第一电极电性连接。令接收基板与载体基板相对靠近。接收基板上设置有多个第二电极，且第二电极与第一电极电性相反。施加第一电压与第二电压至部分相邻的两第一电极，而使微小元件从载体基板释放到接收基板并接合至接收基板上。第一电压不同于第二电压。另外，一种微小元件转移装置也被提出。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 发光二极管 转移 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种微小元件的转移方法，其特征在于，包括：提供载体基板，所述载体基板上设置有多个第一电极以及多个微小元件，其中所述多个微小元件彼此分离且分别与所述多个第一电极电性连接；令接收基板与所述载体基板相对靠近，所述接收基板上设置有多个第二电极，且所述多个第二电极与所述多个第一电极电性相反；以及施加第一电压与第二电压至部分相邻的两所述多个第一电极，而使所述多个微小元件从所述载体基板释放到所述接收基板并接合至所述接收基板上，其中所述第一电压不同于所述第二电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
