[发明专利]制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法有效
| 申请号： | 201710287051.0 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107946195B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 张盛东;周晓梁;卢红娟;梁婷;张晓东 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/28 |
| 代理公司： | 11592 北京天驰君泰律师事务所 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 518071 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法，包括在衬底上依次形成底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、顶栅电极、钝化层以及电极导电层，其中所述有源层的材料是透明的氧化物半导体材料；其中，形成所述顶栅电极的操作包括在所述顶栅介质层上形成光刻胶层，从顶栅介质层向衬底的方向曝光,其中与所述底栅电极对应的光刻胶层的厚度小于其他位置的光刻胶层厚度；基于光刻胶层厚度的差异通过曝光去除与所述底栅电极对应的光刻胶层并裸露出部分顶栅介质层，但在其他位置的顶栅介质层上仍留有光刻胶层；在所述顶栅介质层裸露出来的部分上形成与所述底栅电极的位置对应的顶栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 氧化物 半导体 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法，其特征在于所述方法包括/n在衬底上依次形成底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、顶栅电极、钝化层以及电极导电层，其中所述有源层的材料是透明的氧化物半导体材料；/n其中，形成所述顶栅电极的操作包括/n在所述顶栅介质层上形成光刻胶层，从顶栅介质层向衬底的方向曝光,其中与所述底栅电极对应的光刻胶层的厚度小于其他位置的光刻胶层厚度；/n基于光刻胶层厚度的差异通过曝光去除与所述底栅电极对应的光刻胶层并裸露出部分顶栅介质层，但在其他位置的顶栅介质层上仍留有光刻胶层；/n在所述顶栅介质层裸露出来的部分上形成与所述底栅电极的位置对应的顶栅电极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
