[发明专利]具有带界面增强层的半导体存储器的电子设备有效
| 申请号： | 201710287376.9 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107394038B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 金亮坤;金国天;郑求烈;林锺久;崔源峻 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 任静;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本技术提供一种电子设备。根据本文件的实施方式的电子设备可以包括用于储存数据的半导体存储器，并且半导体存储器可以包括自由层，其具有可变磁化方向；钉扎层，其具有钉扎磁化方向；隧道阻挡层，其介于自由层和钉扎层之间；以及界面增强层，其介于隧道阻挡层和钉扎层之间，并包括导电的多层层叠结构，以增强半导体存储器的磁特性，其中界面增强层可以包括：富Fe的第一层；富Co的第二层，其形成在第一层之上；以及金属层，其形成在第二层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 界面 增强 半导体 存储器 电子设备 | ||
【主权项】：
一种包括用于储存数据的半导体存储器的电子设备，其中，所述半导体存储器包括：自由层，所述自由层具有可变磁化方向；钉扎层，所述钉扎层具有钉扎磁化方向；隧道阻挡层，所述隧道阻挡层介于所述自由层和所述钉扎层之间；以及界面增强层，所述界面增强层介于所述隧道阻挡层和所述钉扎层之间，其中，所述界面增强层包括，富Fe的第一层；富Co的第二层，所述富Co的第二层形成在所述第一层之上；以及金属层，所述金属层形成在所述第二层之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710287376.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：压电微机电系统
- 下一篇：相变随机存取存储器的菱形式四电阻器单元
