[发明专利]多组分涂层组成物、其形成方法和半导体工艺腔室部件有效

专利信息
申请号: 201710288672.0 申请日: 2017-04-27
公开(公告)号: CN107313027B 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: D·芬威克;J·Y·孙 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/40;C23C16/30
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 侯颖媖
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及用于半导体工艺腔室部件的保护涂层的原子层沉积。一种用于半导体工艺腔室部件的表面的多组分涂层组成物包括使用原子层沉积工艺涂布到该半导体工艺腔室部件的该表面上的氧化钇或氟化钇的至少一个第一膜层以及使用原子层沉积工艺涂布到该半导体工艺腔室部件的该表面上的额外氧化物或额外氟化物的至少一个第二膜层,其中该多组分涂层组成物选自由YOxFy、YAlxOy、YZrxOy和YZrxAlyOz组成的群组。
搜索关键词: 组分 涂层 组成 形成 方法 半导体 工艺 部件
【主权项】:
一种方法,包括:使用原子层沉积工艺沉积氧化钇或氟化钇的第一膜层到半导体工艺腔室部件的表面上,其中所述第一膜层由至少两种前体来生长;使用所述原子层沉积工艺沉积额外氧化物或额外氟化物的第二膜层到所述半导体工艺腔室部件的所述表面上,其中所述第二膜层由至少两种额外前体来生长;以及形成包括所述第一膜层和所述第二膜层的多组分组成物。
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