[发明专利]FINFET及形成FINFET的方法有效
| 申请号： | 201710288728.2 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107424933B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例是一种方法，该方法包括在衬底上方形成多层叠件，该多层叠件包括交替的第一层和第二层，图案化多层叠件以形成鳍，形成围绕鳍的隔离区，鳍的上部在隔离区的顶面之上延伸，在鳍的上部的侧壁和顶面上形成第一栅叠件，第一栅叠件限定鳍的沟道区，以及从第一栅叠件外的鳍去除第一层，其中，在去除第一层之后，鳍的沟道区包括第一层和第二层两者。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法，包括：在衬底上方形成多层叠件，所述多层叠件包括交替的第一层和第二层；图案化所述多层叠件以形成鳍；形成围绕所述鳍的隔离区，所述鳍的上部在所述隔离区的顶面之上延伸；在所述鳍的所述上部的侧壁和顶面上形成栅叠件，所述栅叠件限定所述鳍的沟道区；以及从所述鳍去除所述栅叠件外的所述第一层，其中，在去除所述第一层之后，所述鳍的所述沟道区包括所述第一层和所述第二层两者。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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