[发明专利]一种简单控制相变制备β‑氮化硅晶须的方法

摘要

本发明涉及一种制备β‑氮化硅晶须的方法，由α相的氮化硅粉体在气氛炉中充入氮气高温下通过控制氮化硅相变(α→β)烧结制备β‑氮化硅晶须。原始的α相氮化硅粉体在烧结炉的氮气气氛中升温至1500℃‑1800℃，保温0.5‑5h,可制备出一种长约10‑20微米、长径比大于15的高纯β‑氮化硅晶须。该发明的关键技术在于烧结过程中通过控制高温阶段α相氮化硅粉的相变速率制备高纯β‑氮化硅晶须。本发明方法制备的β‑氮化硅晶须具有转化率高、产物纯度高、制备设备简单、可批量生产的优势。

主权项

一种控制相变制备β‑氮化硅晶须的方法，其特征在于以α相氮化硅粉体为原料，Re2O3为烧结助剂，经混料—球磨—干燥后得混合粉体：其中Re为稀土元素，Re＝La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu等，将混合粉体放入坩埚中，在氮气气氛保护下，升温烧结制备β‑氮化硅晶须。