[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子技术领域。该外延片包括衬底、缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、发光层、电子阻挡层和p型GaN层，电子阻挡层包括交替层叠设置的p型Si_aIn_bGa_1‑a‑bN层和p型Si_xAl_yGa_1‑x‑yN层，p型Si_xAl_yGa_1‑x‑yN层中的Al可以使p型Si_xAl_yGa_1‑x‑yN层具有较高的势垒，起到阻挡电子的作用，p型Si_aIn_bGa_1‑a‑bN层和p型Si_xAl_yGa_1‑x‑yN层中的Si和In可以降低Mg的激活能，提高Mg的激活效率，降低电子阻挡层对空穴的阻挡能力，提高空穴的迁移率，增加进入发光层中的空穴数量，从而提高发光效率。

主权项

1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底和依次层叠设置在所述衬底上的缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、发光层、电子阻挡层和p型GaN层，所述电子阻挡层包括交替层叠设置的p型Si_aIn_bGa_1‑a‑bN层和p型Si_xAl_yGa_1‑x‑yN层，所述p型Si_aIn_bGa_1‑a‑bN层的层数N₁和所述p型Si_xAl_yGa_1‑x‑yN层的层数N₂相同，且N₁≥1，N₂≥1，其中，a＞0，b＞0，a+b＜1，x＞0，y＞0，x+y＜1。