[发明专利]鳍式场效应晶体管(FINFET)中的源极/漏极区及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201710289431.8 申请日: 2017-04-27
公开(公告)号: CN107424934B 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种实施例方法包括在半导体鳍上方形成第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件。半导体鳍的一部分由第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件之间的开口暴露。该方法还包括蚀刻半导体鳍的部分以使开口延伸至半导体鳍内。在半导体鳍的俯视图中,半导体鳍的材料环绕开口。该方法还包括在半导体鳍的部分上的开口中外延生长源极/漏极区。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管(FINFET)中的源极/漏极区及其形成方法。
搜索关键词: 场效应 晶体管 finfet 中的 漏极区 及其 形成 方法
【主权项】:
一种形成半导体器件的方法,包括:在半导体鳍上方形成第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件,其中,所述半导体鳍的部分由所述第一伪栅极堆叠件和所述第二伪栅极堆叠件之间的开口暴露;蚀刻所述半导体鳍的所述部分以使所述开口延伸至所述半导体鳍内,其中,在所述半导体鳍的俯视图中,所述半导体鳍的材料围绕所述开口;以及在所述半导体鳍的所述部分上的所述开口中外延生长源极/漏极区。
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