[发明专利]阵列基板以及制作方法、OLED器件及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201710289732.0 | 申请日: | 2017-04-27 |
公开(公告)号: | CN108807457B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 赵德江 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种阵列基板以及制作方法、OLED器件及其制作方法、显示装置,属于显示器领域。阵列基板包括:衬底基板、设置于衬底基板上的像素界定层和电极;像素界定层将衬底基板划分为多个子像素区域,多个子像素区域排列成多行,每个子像素区域内均布置有电极;相邻两行子像素区域之间的像素界定层上设置有凹槽,凹槽的底部至衬底基板的距离大于子像素区域内电极的上表面至衬底基板的距离,凹槽与相邻两行子像素区域中的至少两个同一颜色的子像素区域连通,每个与凹槽连通的子像素区域的像素界定层上设置有连通凹槽和子像素区域的缺口。通过向凹槽中滴入有机墨水实现OLED像素单元打印,且在打印时,喷头需要执行的喷墨次数较少。 | ||
搜索关键词: | 阵列 以及 制作方法 oled 器件 及其 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:衬底基板、设置于所述衬底基板上的像素界定层和电极;所述像素界定层将所述衬底基板划分为多个子像素区域,所述多个子像素区域排列成多行,每个所述子像素区域内均布置有所述电极;相邻两行所述子像素区域之间的所述像素界定层上设置有凹槽,所述凹槽的底部至所述衬底基板的距离大于所述子像素区域内电极的上表面至所述衬底基板的距离,所述凹槽与相邻两行所述子像素区域中的至少两个同一颜色的子像素区域连通,每个与所述凹槽连通的子像素区域的像素界定层上设置有连通所述凹槽和所述子像素区域的缺口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710289732.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的