[发明专利]转置图章与应用其的转移方法有效
| 申请号： | 201710292097.1 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN106941090B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 陈振彰;罗国隆;李和政 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/677;H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种转置图章与应用其的转移方法，该转置图章包含本体与多个磁性物质。本体具有基底部与转置头。基底部具有表面，转置头沿着第一方向突出于基底部的表面，且转置头沿着第一方向具有相对的第一侧面与第二侧面。第一侧面与第二侧面连接表面。磁性物质置于转置头中。磁性物质邻近第一侧面的密度大于邻近第二侧面的密度。本发明能够增加转移微元件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 图章 应用 转移 方法 | ||
【主权项】：
1.一种转置图章，其特征在于，包含：一本体，具有一基底部与一转置头，其中所述基底部具有一表面，所述转置头沿着一第一方向突出于所述基底部的所述表面，且所述转置头沿着所述第一方向具有相对的一第一侧面与一第二侧面，所述第一侧面与所述第二侧面连接所述基底部的所述表面；以及多个磁性物质，置于所述转置头中，其中所述磁性物质邻近所述第一侧面的密度大于邻近所述第二侧面的密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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