[发明专利]传感器封装结构的制备方法和传感器封装结构在审
申请号: | 201710293294.5 | 申请日: | 2017-04-28 |
公开(公告)号: | CN107068578A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 李扬渊 | 申请(专利权)人: | 苏州迈瑞微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/488 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种传感器封装结构的制备方法和传感器封装结构,其中,所述传感器封装结构的制备方法包括提供芯片,所述芯片的第一表面形成有功能电路;在所述芯片与所述第一表面相对的第二表面上形成植球,所述植球与所述功能电路电连接;将所述芯片的第一表面和保护部的第一表面贴合;在所述保护部的第一表面上方形成封装层,所述封装层包覆所述芯片;对远离所述保护部第一表面的封装层和所述植球进行减薄形成焊盘,形成的所述焊盘为暴露出的所述植球的部分区域。本发明实施例提供的技术方案,可以降低工艺难度,解决因open molding产生的溢料造成传感器封装结构报废的问题,提高传感器封装良率。 | ||
搜索关键词: | 传感器 封装 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种传感器封装结构的制备方法,其特征在于,包括:提供芯片,所述芯片的第一表面形成有功能电路;在所述芯片与所述第一表面相对的第二表面上形成植球,所述植球与所述功能电路电连接;将所述芯片的第一表面和保护部的第一表面贴合;在所述保护部的第一表面上方形成封装层,所述封装层包覆所述芯片;对远离所述保护部第一表面的封装层和所述植球进行减薄形成焊盘,形成的所述焊盘为暴露出的所述植球的部分区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造