[发明专利]多层金属焊盘有效
| 申请号： | 201710293949.9 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107393903B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | F.赫林;M.施内甘斯;B.魏德甘斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开多层金属焊盘。一种用于制造半导体器件的方法包括在第一区中在第一着陆焊盘之上以及在第二区中在第二着陆焊盘之上形成导电衬垫。方法还包括在形成于导电衬垫之上的抗蚀剂层内的第一开口内沉积第一导电材料。第一导电材料满溢以形成第一焊盘以及第二焊盘的第一层。方法还包括在第一导电材料之上沉积第二抗蚀剂层，并且图案化第二抗蚀剂层以形成暴露第二焊盘的第一层而不暴露第一焊盘的第二开口。在第二焊盘的第二层之上沉积第二导电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 金属 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在第一区中在第一着陆焊盘之上以及在第二区中在第二着陆焊盘之上形成导电衬垫；在形成于导电衬垫之上的抗蚀剂层内的第一开口内沉积第一导电材料，第一导电材料满溢以形成第一焊盘以及第二焊盘的第一层；在第一导电材料之上沉积第二抗蚀剂层；图案化第二抗蚀剂层以形成暴露第二焊盘的第一层而不暴露第一焊盘的第二开口；以及在第二焊盘的第二层之上沉积第二导电材料。
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