[发明专利]薄膜晶体管及制作方法、阵列基板和显示装置在审
| 申请号： | 201710294861.9 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107086244A | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 卢鑫泓 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 姜春咸,陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、一种阵列基板和一种显示装置。所述薄膜晶体管包括有源层以及同层且间隔设置的源极和漏极，所述有源层包括源极接触区、漏极接触区和连接所述源极接触区和所述漏极接触区的沟道区，所述源极接触区覆盖所述源极的至少一部分，所述漏极接触区覆盖所述漏极的至少一部分，所述沟道区位于所述源极和漏极之间的间隔区。该结构的薄膜晶体管，在制作工艺中，不会产生轻掺杂区，同时，由于源极和漏极之间的区域为沟道区，能够准确定义所形成的沟道区的长度，沟道区的长度确定后，可以准确地确定驱动电压的大小，有利于包括该薄膜晶体管的显示装置进行精确的显示，提高该显示装置的显示性能，提高用户体验。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层以及同层且间隔设置的源极和漏极，其特征在于，所述有源层包括源极接触区、漏极接触区和连接所述源极接触区和所述漏极接触区的沟道区，所述源极接触区覆盖所述源极的至少一部分，所述漏极接触区覆盖所述漏极的至少一部分，所述沟道区位于所述源极和漏极之间的间隔区。
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