[发明专利]有机发光二极管阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201710296657.0 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108807721B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 魏浩明;魏洋;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种有机发光二极管阵列的制备方法，包括：提供一基底，在该基底表面形成多个第一电极；在该基底上形成一图案化掩膜层，该图案化掩膜层覆盖该基底并使该多个第一电极的至少一部分裸露在外；提供一蒸发源，该蒸发源包括碳纳米管膜结构及有机发光层源材料，该有机发光层源材料设置在该碳纳米管膜结构的表面；将该蒸发源与该多个第一电极的表面相对且间隔设置，加热所述该碳纳米管膜结构，使该有机发光层源材料蒸发，在裸露在外的多个第一电极上蒸镀形成多个有机发光层；在该多个有机发光层上形成多个第二电极；去除该图案化掩膜层形成有机发光二极管阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 发光二极管 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机发光二极管阵列的制备方法，包括：S1，提供一基底，在该基底表面形成多个第一电极；S2，在该基底上形成一图案化掩膜层，该图案化掩膜层覆盖该基底并使该多个第一电极的至少一部分裸露在外；S3，提供一蒸发源，该蒸发源包括碳纳米管膜结构及有机发光层源材料，该有机发光层源材料设置在该碳纳米管膜结构的表面，通过该碳纳米管膜结构承载；S4，将该蒸发源与该多个第一电极的表面相对且间隔设置，加热所述该碳纳米管膜结构使该有机发光层源材料蒸发，在所述裸露在外的多个第一电极上蒸镀形成多个有机发光层；S5，在该多个有机发光层上形成多个第二电极；S6，去除该图案化掩膜层形成有机发光二极管阵列。
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