[发明专利]一种室温附近的磁开关材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201710299174.6 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN107118158B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 张辉;段海宝;于姗姗 | 申请（专利权）人： | 南京晓庄学院 |
| 主分类号： | C07D233/58 | 分类号： | C07D233/58;H01F1/42 |
| 代理公司： | 北京智桥联合知识产权代理事务所(普通合伙) 11560 | 代理人： | 侯桂丽 |
| 地址： | 211171 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种室温附近的磁开关材料[C3‑MIM][Ni(mnt)2]及其制备方法。所述材料的化学式为C15H13N6NiS4，属于三斜晶系空间群P‑1，其中一个不对称单元包含一个有机阳离子和一个[Ni(mnt)2]‑阴离子。该化合物磁化率呈现了明显的热滞后现象，是一种理想的室温磁开关材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 室温 附近 开关 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种室温附近的磁开关材料[C3‑MIM][Ni(mnt)2]，其化学式为C15H13N6NiS4，属于三斜晶系空间群P‑1，其中一个不对称单元包含一个有机阳离子和一个[Ni(mnt)2]‑阴离子；其特征在于，所述材料[C3‑MIM][Ni(mnt)2]沿着晶体学a‑轴方向形成独立柱状堆积，在[Ni(mnt)2]‑阴离子堆积柱内相邻的阴离子形成阴离子二聚体。
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