[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板的制备方法在审
| 申请号： | 201710300075.5 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN106960797A | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 徐德智;段献学;宫奎 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/49;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 罗瑞芝,陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板的制备方法。该薄膜晶体管制备方法包括在基底上形成有源层膜；还包括采用透明导电光刻胶形成薄膜晶体管的源极和漏极。该薄膜晶体管制备方法通过采用透明导电光刻胶形成薄膜晶体管的源极和漏极，能够省去源极和漏极在制备过程中的湿法刻蚀和剥离工艺，从而避免湿法刻蚀和剥离工艺中水对金属氧化物材料形成的有源层的损伤，进而能够保护金属氧化物材料的有源层的薄膜晶体管的电学特性，同时由于源极和漏极能够透光，所以还增加了采用该薄膜晶体管的阵列基板的像素单元的开口率，从而降低了采用该薄膜晶体管的显示器的背光能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在基底上形成有源层膜；其特征在于，还包括：采用透明导电光刻胶形成所述薄膜晶体管的源极和漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
