[发明专利]用于制造双极结型晶体管的方法在审
| 申请号： | 201710300570.6 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN107342223A | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | D.曼格;S.特根 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/737 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 申屠伟进,杜荔南 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开用于制造双极结型晶体管的方法。实施例提供一种用于制造双极结型晶体管的方法。所述方法包括‑提供包括第一导电类型的埋覆层的半导体衬底；‑在集电极注入区中对半导体衬底进行掺杂，以获取平行于半导体衬底的表面并且从半导体衬底的表面延伸到埋覆层的第一导电类型的集电极注入；‑在半导体衬底的表面上提供第二导电类型的基极层，基极层覆盖集电极注入；‑在基极层上提供牺牲发射极结构，其中牺牲发射极结构的区域的投影被集电极注入的区域围起；‑通过围绕被牺牲发射极结构覆盖的基极层的区域的基极层的区域部分地相反掺杂集电极注入。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 双极结型 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造双极结型晶体管的方法，所述方法包括：提供包括第一导电类型的埋覆层的半导体衬底；在集电极注入区中对半导体衬底进行掺杂，以获取平行于半导体衬底的表面并且从半导体衬底的表面延伸到埋覆层的第一导电类型的集电极注入；在半导体衬底的表面上提供第二导电类型的基极层，基极层覆盖集电极注入；在基极层上提供牺牲发射极结构，其中牺牲发射极结构的区域的投影被集电极注入的区域围起；通过围绕被牺牲发射极结构覆盖的基极层的区域的基极层的区域部分地相反掺杂集电极注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
