[发明专利]电子设备、超声波指纹识别装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710301372.1 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN107145858B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 上海思立微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G06K9/00 | 分类号： | G06K9/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘飞 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种电子设备、超声波指纹识别装置及其制造方法，该方法包括：在用于信号处理的第一半导体器件的顶部形成基底层；在所述基底层顶部形成第一平面电极，所述第一平面电极与所述第一半导体器件的第一接触点电性连接；在所述第一平面电极顶部形成压电薄膜层；在位于所述第一平面电极下方的基底层部分形成谐振空腔；在所述压电薄膜层顶部形成第二平面电极，所述第二平面电极与所述第一半导体器件的第二接触点电性连接。本申请实施例可节约超声波指纹识别装置的制造成本，且可保证超声波指纹识别装置的检测灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 电子设备 超声波 指纹识别 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，包括：在用于信号处理的第一半导体器件的顶部形成基底层；在所述基底层顶部形成第一平面电极，所述第一平面电极与所述第一半导体器件的第一接触点电性连接；在所述第一平面电极顶部形成压电薄膜层；在位于所述第一平面电极下方的基底层部分形成谐振空腔；在所述压电薄膜层顶部形成第二平面电极，所述第二平面电极与所述第一半导体器件的第二接触点电性连接；所述在所述基底层顶部形成第一平面电极，包括：图形化所述基底层，以形成第一接触沟槽；所述第一接触沟槽位于所述第一接触点上方；在所述基底层顶部形成导电薄膜层，所述导电薄膜层穿过所述第一接触沟槽并与所述第一接触点电性连接；图形化所述导电薄膜层，以形成第一平面电极。
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