[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201710302093.7 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN108807546B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 竺立强;刘锐;肖惠;付杨明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L21/34 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 竺云;刘真真 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管，包含：绝缘衬底、栅介质层、位于栅介质层一侧的栅电极，以及位于栅介质层另一侧的源极、漏极、以及源极和漏极之间的沟道层，其中，栅介质是具有质子导电特性的固态电解质，并可以通过所述栅电极偏压脉冲的施加调控所述晶体管的阈值电压。该氧化物薄膜晶体管可以是以下任意一种结构类型：底栅顶接触型、底栅底接触型、顶栅顶接触型、顶栅底接触型、底栅和顶栅相结合型。本发明能够有效降低工作电压、并能够根据需要通过栅电极偏压的施加实现对器件阈值电压的调控、简化工艺复杂度、降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物薄膜晶体管，包含：绝缘衬底、栅介质层、位于所述栅介质层一侧的栅电极，以及位于所述栅介质层另一侧的源极、漏极、以及所述源极和漏极之间的沟道层，其特征在于，所述栅介质是具有质子导电特性的固态电解质，并可以通过所述栅电极偏压脉冲的施加调控所述晶体管的阈值电压。
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