[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710303249.3 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN107039534A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 韩志恒;李泠;陆丛研;徐光伟;王伟;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管，源电极和漏电极直接形成于栅介质层中，有源层形成于栅介质层表面并且与源电极和漏电极接触，通过这种结构，彻底消除了传统薄膜晶体管器件中的体接触电阻部分，其仅具有界面接触电阻，从而降低了器件的接触电阻，提高了器件的电流驱动能力，有利于降低电能浪费、减缓器件老化、降低RC延迟。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：绝缘衬底、栅电极、栅介质层、源电极、漏电极以及有源层；其中，所述栅电极形成于所述绝缘衬底表面；所述栅介质层形成于所述绝缘衬底表面并且覆盖所述栅电极；所述源电极和漏电极埋于所述栅介质层中，且表面露出；所述有源层形成于所述栅介质层表面，与所述源电极和漏电极接触。
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