[发明专利]包括RESURF层和阶跃栅极的LDMOS晶体管以及相关联的系统和方法在审
| 申请号： | 201710303816.5 | 申请日： | 2017-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN107180873A | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | J·夏;M·A·祖尼加;B·法特米扎德赫 | 申请（专利权）人： | 马克西姆综合产品公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 陈松涛,王英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应(LDMOS)晶体管，包括硅半导体结构，该硅半导体结构包括(a)基层，(b)在厚度方向上设置于该基层之上的p型减少表面场效应(RESURF)层，(c)在厚度方向上设置于该p型RESURF层之上的p体区，(d)均设置于该p体区中的源极p+区域和源极n+区域，(e)在正交于厚度方向的横向方向上邻近该p体区设置的高压n型横向扩散漏极(HVNLDD)，该HVNLDD接触该p型RESURF层，和(f)设置于该HVNLDD中的漏极n+区域。该LDMOS晶体管可进一步包括(a)在厚度方向上并且在p体区和HVNLDD的至少部分之上设置于硅半导体结构上的第一电介质层和(b)在厚度方向上设置于该第一电介质层上的第一栅极导体。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 resurf 阶跃 栅极 ldmos 晶体管 以及 相关 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应(LDMOS)晶体管，包括：硅半导体结构，包括：基层，在厚度方向上设置于所述基层之上的p型减少表面场效应(RESURF)层，在所述厚度方向上设置于所述p型RESURF层之上的p体区，均设置于所述p体区中的源极p+区域和源极n+区域，在正交于所述厚度方向的横向方向上邻近所述p体区设置的高压n型横向扩散漏极(HVNLDD)，所述HVNLDD接触所述p型RESURF层，以及设置在所述HVNLDD中的漏极n+区域；在所述厚度方向上设置于所述硅半导体结构上并且在所述p体区和所述HVNLDD的至少部分之上的第一电介质层；以及在所述厚度方向上设置于所述第一电介质层上的第一栅极导体。
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