[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710304096.4 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107275411B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L21/336;H01L21/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;付曼 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种可靠性高的半导体装置。通过成品率良好地制造半导体装置来达成高生产率。在半导体装置中，依次层叠有栅电极层、栅极绝缘膜、含有铟的氧化物半导体膜、以及设置在氧化物半导体膜上并与氧化物半导体膜接触的绝缘层，该绝缘膜与栅电极层重叠，并且还具有设置有与氧化物半导体膜及绝缘层接触的源电极层及漏电极层的晶体管，其中，将绝缘层表面的氯浓度设为1×10 |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：在绝缘表面上形成栅电极；在所述栅电极上形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜；形成在所述氧化物半导体膜上并包括接触孔的绝缘层，以使所述绝缘层具有侧面；形成在所述氧化物半导体膜及所述绝缘层上并与所述氧化物半导体膜及所述绝缘层接触的导电膜；用气体蚀刻所述导电膜来形成源电极及漏电极，以使所述源电极及所述漏电极的每个具有侧面；以及去除所述氧化物半导体膜及所述绝缘层上的残留物，其中，所述源电极的所述侧面与所述源电极的底面之间的角大于所述绝缘层的所述侧面与所述绝缘层的底面之间的角，其中，所述漏电极的所述侧面与所述漏电极的底面之间的角大于所述绝缘层的所述侧面与所述绝缘层的所述底面之间的角，以及其中，由所述气体与所述氧化物半导体膜之间的反应而形成所述残留物。
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