[发明专利]传感器模块及制造方法有效
| 申请号： | 201710304211.8 | 申请日： | 2017-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN107369696B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 马克·艾斯勒 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H10N59/00 | 分类号： | H10N59/00;H10N50/80;H10N50/10;H10N50/01;G01R33/09 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰埃*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据实施例提供一种磁阻性传感器模块。所述传感器模块可包括：集成电路；磁阻性传感器元件，其布置成单片集成在所述集成电路上的桥电路；以及应力缓冲层，其布置在所述集成电路与所述磁阻性传感器元件之间。还提供一种制造所述磁阻性传感器模块的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 模块 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁阻性传感器模块，其特征在于包括：集成电路；磁阻性传感器元件，其布置成单片集成在所述集成电路上的桥电路；以及应力缓冲层，其布置在所述集成电路与所述磁阻性传感器元件之间。
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