[发明专利]薄膜集成电路用99.6％Al2O3 陶瓷基片的制备方法

摘要

本发明提供了薄膜集成电路用99.6％Al2O3陶瓷基片的制备方法。本发明所提供的薄膜集成电路用99.6％Al2O3陶瓷基片的制备方法可减小基片表面粗糙度，提高光洁度和平整度，从而提高薄膜电路精度、可靠性，具有重要的实用价值。同时，本发明所提供的薄膜集成电路用99.6％Al2O3陶瓷基片的制备方法具有表面粗糙度小，平整度好，光洁度好、表面呈镜面等优点。

主权项

一种薄膜集成电路用99.6％Al2O3陶瓷基片的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(a)99.6％Al2O3陶瓷基片制备按照Al2O3、MgO和SiO2质量比为99.6％:0.3％:0.1％的比例进行配料，然后将所得物料与玛瑙球和去离子水球磨混合，并将所得浆料干燥过筛；将干燥过筛所得物料与有机溶剂和粘合剂混合制备流延料，然后流延成型得到氧化铝生瓷带，将所得氧化铝生瓷带经叠层、等静压、切割和排胶烧结得到99.6％Al2O3陶瓷基片，然后减薄、抛光，并超声波洗涤，得到待处理氧化铝陶瓷基片；(b)高软化度玻璃粉制备按照质量百分数CaO 10～30％，Al2O3 0～18.3％，SiO2 54.93～74.93％，以及玻璃添加剂10～25％的比例进行配料，然后将所得物料经高温水淬得到玻璃体，将所得玻璃体振磨粉碎，然后加入分散介质球磨，干燥过筛后得到玻璃粉体；(c)玻璃浆料制备将有机载体在溶剂中溶解，然后向所得溶液中加入玻璃粉体，并均匀分散，得到玻璃浆料；(d)匀胶在待处理氧化铝陶瓷基片表面旋涂玻璃浆料，然后将所得基片烘干；(e)热处理将烘干后的基片置于马弗炉中进行热处理，得到表面光洁度高的氧化铝陶瓷基片，即为薄膜集成电路用99.6％Al2O3陶瓷基片。