[发明专利]一种存储器阵列及其读、编程和擦除操作方法有效
| 申请号： | 201710306183.3 | 申请日： | 2017-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN107204203B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/10;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张振军;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储器阵列及其读、编程和擦除操作方法，存储器阵列包括多个呈阵列排布的闪存单元，每一闪存单元包括第一和第二分栅闪存单元；第一分栅闪存单元的第一控制栅连接第二分栅闪存单元的第一控制栅并连接第一控制栅线，第一分栅闪存单元的第二控制栅连接第二分栅闪存单元的第二控制栅并连接第二控制栅线；第一分栅闪存单元的字线栅连接第二分栅闪存单元的字线栅并连接字线；第一分栅闪存单元的源极和漏极分别经由接触孔连接第一和第二位线，第二分栅闪存单元的漏极和源极分别经由接触孔连接第二和第三位线。采用该发明方案可降低存储器阵列的面积，无需引入编程抑制电压，并避免读电流损失，提高读操作的准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 阵列 及其 编程 擦除 操作方法 | ||
【主权项】：
一种存储器阵列，包括多个呈阵列排布的闪存单元，其特征在于，每一所述闪存单元包括第一分栅闪存单元和第二分栅闪存单元，所述第一分栅闪存单元和第二分栅闪存单元分别具有源极、漏极、第一控制栅、字线栅和第二控制栅；所述第一分栅闪存单元的第一控制栅连接所述第二分栅闪存单元的第一控制栅并连接第一控制栅线，所述第一分栅闪存单元的第二控制栅连接所述第二分栅闪存单元的第二控制栅并连接第二控制栅线；所述第一分栅闪存单元的字线栅连接所述第二分栅闪存单元的字线栅并连接字线；所述第一分栅闪存单元的源极经由接触孔连接第一位线，所述第一分栅闪存单元的漏极经由接触孔连接第二位线，所述第二分栅闪存单元的漏极经由接触孔连接所述第二位线，所述第二分栅闪存单元的源极经由接触孔连接第三位线。
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