[发明专利]一种超低衰减大有效面积单模光纤

摘要

本发明涉及一种超低衰减大有效面积单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为5～8μm，芯层的相对折射率Δn1为0～0.20％，芯层外从内向外依次包覆内包层、下陷内包层和外包层，所述的内包层半径r2为8.5～12μm，相对折射率Δn2为‑0.20～‑0.45％，所述的下陷内包层半径r3为12.5～30μm，相对折射率Δn3为‑0.40～‑0.65％，所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层，相对折射率Δn4为‑0.22～‑0.53％。本发明特有的粘度匹配设计芯层为非纯硅芯，具有锗和氟共掺的特点，同时进行氯掺杂工艺，降低光纤的粘度，加速玻璃的结构弛豫；通过控制掺杂浓度从而优化芯层粘度匹配，优化光纤各个部分粘度和光纤应力，实现单模光纤的超低衰减性能。

主权项

一种超低衰减大有效面积单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为5～8μm，芯层的相对折射率Δn1为0～0.20％，芯层外从内向外依次包覆内包层、下陷内包层和外包层，所述的内包层半径r2为8.5～12μm，相对折射率Δn2为‑0.20～‑0.45％，所述的下陷内包层半径r3为12.5～30μm，相对折射率Δn3为‑0.40～‑0.65％，所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层，相对折射率Δn4为‑0.22～‑0.53％。